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生产商 / Silicon Sensor / wsd

波长探测光敏二极管

特性:

p-n结垂直分布
波长探测范围:450-950nm
分辨率:0.01nm
适用于单色光

常规参数

型 号

序号

光敏面积

外部尺寸

最大绝对额定值

芯片

封装

 

尺寸(mm

面积(mm2)

窗口材料

工作温度

储存温度

WS7.56

TO5

500148

2.75*2.75

7.56

玻璃

-20 +55

-40 +100

WS7.56

TO5i

500154

WS7.56

PCBA

500008

电子光学特性(标准测试环境温度:22℃)

型号

光谱响应度(A/W

暗电流

结电容

上升时间(μs

分流电阻

 

二极管 1 550nm

二极管 2 890nm

5V(nA)

二极管 1 0V(nF)

二极管 2 0V(nF)

二极管1 0V,1KΩ

二极管2 0V,1KΩ

二极管 1 10mV

二极管 2 10mV

WS7.56

TO5

typ.0.20

typ.0.45

10

typ.

1.0

typ.0.1

10

1

2GΩ

100MΩ

WS7.56

TO5i

5

WS7.56

PCBA

10

 

 

 

 

特性描述:
WS7.56波长探测器有双p-n结垂直分布在一个公共的硅底层上。
上层的二极管增强蓝光和降低红光的响应。吸收450-900nm的放射从而对入射光波长产生两个对称的电流。信号的份额是单独的光平整在 。可以达到单色光波长或多色光的光谱密度最高值。

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