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生产商 / Silicon Sensor / series9

Series 9: 近红外增强型雪崩二极管

特性:          

近红外波段提供更高响应度            资料下载

常规参数 

型 号

序号

光敏面积

外部尺寸

最大绝对额定值

芯片

封装

 

尺寸(mm

面积(mm2)

窗口材料

工作温度

储存温度

AD230-9

TO52S1

500020

0.23

0.042

玻璃

-40+100

-55+125

AD230-9

TO52S3

500023

AD500-9

TO52S1

500031

0.5

0.196

AD500-9

TO52S3

500156

AD800-9

TO5i

500037

0.8

0.5

AD1100-9

TO5i

500014

1.13

1

AD1900-9

TO5i

500157

1.95

3

AD2500-9

TO5i

500027

2.52

5

AD3000-9

TO5i

500159

3.0

7.0

AD5000-9

TO5i

500161

5.0

20.0

电子光学特性(标准测试环境温度:22℃)

型号

暗电流

M=100nA

电容

击穿电压

截止频率

上升时间

最优化增益

增益

 

Typ

Max

pF

Vbr  Id=2μA

-3dBMHz

ns

10mV (MΩ)

 

AD230-9

TO52S1

0.6

1.5

0.8

120-300

400

0.55

50-60

200

AD230-9

TO52S3

AD500-9

TO52S1

0.8

5.0

1.2

AD500-9

TO52S3

AD800-9

TO5i

5.0

10.0

2.0

350

1.0

AD1100-9

TO5i

10.0

20.0

3.0

AD1900-9

TO5i

20.0

40.0

7.0

230

1.5

AD2500-9

TO5i

30.0

60.0

11.0

AD3000-9

TO5i

40.0

80.0

16.0

175

2.0

AD5000-9

TO5i

50.0

100

45.0

90-150

115

3.0

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

所有Series-9系列APD的响应度为0.60 A/W , 905nm(M=1)

所有Series-9系列APD的击穿电压温度值为0.55v/

 

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