产品目录 生产商 / Laser Components / 雪崩光电二极管

　　探测器是光电子的核心器件。探测器的选择和质量方面很大程度上决定了测量的精度。我们为每个波段提供最适合的探测器材料，从紫外到远红外，并且根据各个客户的不同需要来特殊订制产品。

Overview (PDF apd-overview)

Silicon Avalanche Photodiodes (PDF SAR-seires)

LASER COMPONENTS自2004起开始生产硅雪崩光电二极管。

　　SAE系列使用外延结构的同时，SAR系列展示出完全延伸的结构特性。
这些新的APD展示出更快的上升沿时间和在400nm-1100nm更高的响应度。APD的光敏面直径可以设计为230μm-3.5mm，并且可以做成金属封装。是否带透镜或内置过滤器是可选择的。

InGaAs APDs 1100 - 1700 nm (PDF iae-series_ingaas)

　　InGaAs雪崩二极管光谱响应范围为1100nm-1700nm。与锗雪崩二极管相比，它们展示出更好的信噪比，与更宽的带宽，并且在1700nm有更高的灵敏度。然而，InGaAs雪崩二极管比锗雪崩二极管要贵得多。锗雪崩二极管因此用于对价格比较敏感的应用或受到电磁干扰和有更大噪声放大器的系统。